Numărul de produs al producătorului:
FDD5680
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDD5680-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 8.5A (Ta) 2.8W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
2511 Piese Noi Originale În Stoc
12849552
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDD5680 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1835 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
FDD568
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FDD5680CT
FDD5680DKR
FDD5680-DG
FDD5680TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AON7532E
MOSFET N-CH 30V 30.5A/28A 8DFN
FCA20N60-F109
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
AOD456A
MOSFET N-CH 25V 50A TO252
