Numărul de produs al producătorului:

FDC796N_F077

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDC796N_F077-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 12.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6 FLMP

Inventar:

RFQ Online

12851116

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FDC796N_F077 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

PowerTrench®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

12.5A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

20 nC @ 5 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1444 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

2W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SuperSOT™-6 FLMP

Pachet / Carcasă

6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

Numărul de bază al produsului

FDC796

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

FDC796N_F077-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

FCD600N60Z

MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK

onsemi

IRLM110ATF

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223-4

infineon-technologies

IPP90R1K0C3XKSA1

MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3

rohm-semi

R6011END3TL1

MOSFET N-CH 600V 11A TO252