Numărul de produs al producătorului:

FDC640P

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDC640P-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6

Descriere detaliată:

P-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Inventar:

6642 Piese Noi Originale În Stoc

12840459

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FDC640P Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Starea produsului

Active

Tip FET

P-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

4.5A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

53mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

13 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±12V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

890 pF @ 10 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

1.6W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SuperSOT™-6

Pachet / Carcasă

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Numărul de bază al produsului

FDC640

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

FDC640PTR

FDC640PCT

FDC640P-DG

FDC640PDKR

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

FDMS3572

MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP

onsemi

NTMFS4C024NT3G

MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN

infineon-technologies

AUIRFS4310TRL

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

onsemi

ECH8308-TL-H

MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH