Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FDB8442
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDB8442-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 28A (Ta), 80A (Tc) 254W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
RFQ Online
12848680
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDB8442 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
28A (Ta), 80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
12200 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
254W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
FDB844
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
FDB8442-DG
Fișe tehnice
FDB8442
Informații suplimentare
Alte nume
FDB8442DKR
FDB8442CT
FDB8442TR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BUK765R2-40B,118
PRODUCĂTOR
NXP USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
23190
DiGi NUMĂR DE PARTE
BUK765R2-40B,118-DG
PREȚ UNIC
0.74
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTA220N04T2-7
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTA220N04T2-7-DG
PREȚ UNIC
4.52
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQU2N90TU-WS
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
FDD9411L-F085
MOSFET N-CH 40V 25A TO252
BSC011N03LSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
FDMS86263P
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN