Numărul de produs al producătorului:
FDB2710
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDB2710-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 50A (Tc) 260W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
101 Piese Noi Originale În Stoc
12837241
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
l38e
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDB2710 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
42.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7280 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
260W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
FDB271
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FDB2710TR
FDB2710CT
FDB2710DKR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF540NSTRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
7309
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF540NSTRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.52
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
CPH6442-TL-E
MOSFET N-CH 60V 6A 6CPH
FQP2N30
MOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3
FDMS86181E
FET 100V 4.2 MOHM PQFN56
