Numărul de produs al producătorului:
FDA16N50-F109
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDA16N50-F109-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
283 Piese Noi Originale În Stoc
12845674
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDA16N50-F109 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
UniFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1945 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
205W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3PN
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
FDA16N50
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FDA16N50-F109OS
FDA16N50_F109-DG
FDA16N50-F109-DG
FDA16N50_F109
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AON7418A
MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN
FCH110N65F-F155
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
AOI2N60
MOSFET N-CH 600V 2A TO251A
