Numărul de produs al producătorului:
FD6M045N06
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FD6M045N06-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15
Descriere detaliată:
Mosfet Array 60V 60A Through Hole EPM15
Inventar:
12850047
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FD6M045N06 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
Power-SPM™
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3890pF @ 25V
Putere - Max
-
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
EPM15
Pachet dispozitiv furnizor
EPM15
Numărul de bază al produsului
FD6M045
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
19
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDS6990AS
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
FDMS8090
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56
FW297-TL-2W
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
