FCU600N65S3R0
Numărul de produs al producătorului:

FCU600N65S3R0

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FCU600N65S3R0-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole IPAK

Inventar:

441 Piese Noi Originale În Stoc
12838412
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FCU600N65S3R0 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
SuperFET® III
Starea produsului
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 600µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
465 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
54W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
IPAK
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numărul de bază al produsului
FCU600

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
FCU600N65S3R0OS
2156-FCU600N65S3R0-488
FCU600N65S3R0-DG
Pachet standard
75

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IXTU8N70X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
64
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTU8N70X2-DG
PREȚ UNIC
1.71
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

FQD3N50CTF

MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

onsemi

FQB10N20LTM

MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK

onsemi

FQU13N06LTU

MOSFET N-CH 60V 11A IPAK

onsemi

FQD1N80TF

MOSFET N-CH 800V 1A DPAK