Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FCPF190N65S3R0L
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FCPF190N65S3R0L-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 17A TO220F-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
RFQ Online
12838868
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FCPF190N65S3R0L Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
SuperFET® III
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.7mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
144W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
FCPF190
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
FCPF190N65S3R0L-DG
Fișe tehnice
FCPF190N65S3R0L
Informații suplimentare
Alte nume
FCPF190N65S3R0LOS
FCPF190N65S3R0L-DG
ONSONSFCPF190N65S3R0L
2156-FCPF190N65S3R0L-OS
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPA60R190P6XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
188
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPA60R190P6XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.19
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STF25N60M2-EP
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
357
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF25N60M2-EP-DG
PREȚ UNIC
1.18
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPAW60R180P7SXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
451
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPAW60R180P7SXKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.69
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STF28NM60ND
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
940
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF28NM60ND-DG
PREȚ UNIC
4.07
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPA60R180P7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
484
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPA60R180P7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.07
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQD4N50TF
MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
FQD13N10TF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
FCPF11N65_G
INTEGRATED CIRCUIT
FQA24N50
MOSFET N-CH 500V 24A TO3P