Numărul de produs al producătorului:
FCP600N65S3R0
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FCP600N65S3R0-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
800 Piese Noi Originale În Stoc
12849487
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FCP600N65S3R0 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
SuperFET® III
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 600µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
465 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
54W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
FCP600
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
ONSONSFCP600N65S3R0
2156-FCP600N65S3R0-OS
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP10N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
990
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP10N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.51
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AON6442
MOSFET N-CH 40V 22A/32A 8DFN
FCA47N60-F109
MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
FQP12P10
MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3
