Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FCP190N60-GF102
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FCP190N60-GF102-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
RFQ Online
12847012
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FCP190N60-GF102 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
SuperFET® II
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
199mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2950 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
FCP190
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
FCP190N60-GF102-DG
Fișe tehnice
FCP190N60-GF102
Informații suplimentare
Alte nume
FCP190N60_GF102
FCP190N60_GF102-DG
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP24N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
189
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP24N60M2-DG
PREȚ UNIC
1.21
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPP60R180P7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP60R180P7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.05
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
NTP185N60S5H
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
795
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTP185N60S5H-DG
PREȚ UNIC
1.40
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP28N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1020
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP28N60M2-DG
PREȚ UNIC
1.40
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP28NM60ND
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
133
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP28NM60ND-DG
PREȚ UNIC
3.12
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDP61N20
MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
FQPF6N40C
MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
FDMA910PZ
MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
CPH3462-TL-W
MOSFET N-CH 100V 1A 3CPH