Numărul de produs al producătorului:
FCMT360N65S3
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FCMT360N65S3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)
Inventar:
12840199
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FCMT360N65S3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperFET® III
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
4-PQFN (8x8)
Pachet / Carcasă
4-PowerTSFN
Numărul de bază al produsului
FCMT360
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FCMT360N65S3OSTR
FCMT360N65S3OSDKR
FCMT360N65S3-DG
FCMT360N65S3OSCT
2156-FCMT360N65S3TR
2832-FCMT360N65S3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NVE4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
FCD900N60Z
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
FQD3N40TF
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
