Numărul de produs al producătorului:
FCH099N65S3-F155
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FCH099N65S3-F155-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
390 Piese Noi Originale În Stoc
12848104
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FCH099N65S3-F155 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
SuperFET® III
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2480 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
227W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
FCH099
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AO3460L
MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23
FDG314P
MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
CPH6350-TL-W
MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
