Numărul de produs al producătorului:
FCH067N65S3-F155
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FCH067N65S3-F155-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 44A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 44A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
900 Piese Noi Originale În Stoc
12930709
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FCH067N65S3-F155 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
SuperFET® III
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4.4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3090 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
312W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
FCH067
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FCH067N65S3_F155
FCH067N65S3-F155OS
FCH067N65S3_F155-DG
FCH067N65S3-F155-DG
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDD8444-F085P
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
AON6407
MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN
AOI21357
MOSFET P-CH 30V 23A/70A TO251A
