Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FCD4N60TM_WS
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FCD4N60TM_WS-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
RFQ Online
12847752
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FCD4N60TM_WS Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
SuperFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
FCD4
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
FCD4N60TM_WS-DG
Fișe tehnice
FCD4N60TM_WS
Informații suplimentare
Alte nume
FCD4N60TM_WSTR
FCD4N60TM_WSCT
FCD4N60TM_WSDKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK6P65W,RQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
58
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK6P65W,RQ-DG
PREȚ UNIC
0.47
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STD7N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
14171
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD7N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.50
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STD7NM80
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
4929
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD7NM80-DG
PREȚ UNIC
1.69
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STD6N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD6N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.50
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FCD4N60TM
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
10613
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCD4N60TM-DG
PREȚ UNIC
0.61
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTD4906NT4G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAK
NVMFS6B14NLWFT3G
MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN
NTD4855NT4G
MOSFET N-CH 25V 14A/98A DPAK
FQP4N60
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3