Numărul de produs al producătorului:
FCB125N65S3
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FCB125N65S3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
800 Piese Noi Originale În Stoc
12938392
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FCB125N65S3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperFET® III
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 590µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1940 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
181W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
FCB125
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
488-FCB125N65S3CT
488-FCB125N65S3TR
488-FCB125N65S3DKR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NVB125N65S3
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
800
DiGi NUMĂR DE PARTE
NVB125N65S3-DG
PREȚ UNIC
1.73
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SK3900-ZP-E1-AZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
RJL5012DPP-00#T2
N-CHANNEL POWER MOSFET
NTBG160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
