Numărul de produs al producătorului:
FCB110N65F
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FCB110N65F-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
4800 Piese Noi Originale În Stoc
12838140
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FCB110N65F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
FRFET®, SuperFET® II
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 3.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4895 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
357W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
FCB110
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FCB110N65FCT
FCB110N65FTR
FCB110N65FDKR
2156-FCB110N65F-OS
ONSONSFCB110N65F
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STB37N60DM2AG
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB37N60DM2AG-DG
PREȚ UNIC
3.16
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDP7N60NZ
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3
FDS3580
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
FQPF6N40CF
MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
