Numărul de produs al producătorului:
FCA36N60NF
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FCA36N60NF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 34.9A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
12850149
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FCA36N60NF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
FRFET®, SupreMOS®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
34.9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4245 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
312W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3PN
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
FCA36N60
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
488-FCA36N60NF
Pachet standard
450
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK31J60W,S1VQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
25
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK31J60W,S1VQ-DG
PREȚ UNIC
4.32
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK31J60W5,S1VQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
25
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK31J60W5,S1VQ-DG
PREȚ UNIC
4.54
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDB3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
FDS2734
MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
EMH1405-P-TL-H
MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8
