Numărul de produs al producătorului:
2SK4209
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
2SK4209-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 12A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB
Inventar:
12832685
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
yRB5
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2SK4209 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.08Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3PB
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
2SK4209
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
100
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FQA13N80-F109
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
76
DiGi NUMĂR DE PARTE
FQA13N80-F109-DG
PREȚ UNIC
2.65
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SK3704
MOSFET N-CH 60V 45A TO220ML
BUK7Y3R0-40HX
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
PSMN2R5-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
