2SK4125-1EX
Numărul de produs al producătorului:

2SK4125-1EX

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

2SK4125-1EX-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 17A TO3P-3L
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 17A (Ta) 2.5W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-3P-3L

Inventar:

12833658
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

2SK4125-1EX Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
610mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura
150°C (TA)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P-3L
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
2SK4125

Informații suplimentare

Pachet standard
1

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
nexperia

PMV52ENEAR

MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB

infineon-technologies

AUIRF1324STRL7P

MOSFET N-CH 24V 340A D2PAK

infineon-technologies

AUIRFR4104

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

onsemi

2N7002WT1G

MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3