2SJ665-DL-E
Numărul de produs al producătorului:

2SJ665-DL-E

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

2SJ665-DL-E-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 27A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount SMP-FD

Inventar:

12833802
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

2SJ665-DL-E Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
27A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.65W (Ta), 65W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SMP-FD
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
2SJ665

Informații suplimentare

Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
FQB34P10TM
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
FQB34P10TM-DG
PREȚ UNIC
1.23
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
nexperia

NX3008PBKVL

MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB

onsemi

2SK3746

MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PB

infineon-technologies

AUIRFR6215TRL

MOSFET P-CH 150V 13A DPAK

nexperia

PMN30UNX

MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP