Numărul de produs al producătorului:
2SJ661-DL-1E
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
2SJ661-DL-1E-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 38A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Inventar:
12835834
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2SJ661-DL-1E Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
38A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4360 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.65W (Ta), 65W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263-2
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
2SJ661
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2SJ661-DL-1EOSTR
ONSONS2SJ661-DL-1E
2156-2SJ661-DL-1E
2SJ661-DL-1E-DG
2832-2SJ661-DL-1ETR
2SJ661-DL-1EOSCT
2SJ661-DL-1EOSDKR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
AOB409L
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOB409L-DG
PREȚ UNIC
0.39
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSP315PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
FDC602P_F095
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
IRLW630ATM
MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
