Numărul de produs al producătorului:
2SD1145F-AE
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
2SD1145F-AE-DG
Descriere:
BIP NPN 5A 20V
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 5 A 120MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Inventar:
16000 Piese Noi Originale În Stoc
12933880
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2SD1145F-AE Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistori bipolari unici
Producător
onsemi
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN
Curent - Colector (Ic) (Max)
5 A
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
20 V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 60mA, 3A
Curent - Întrerupere colector (Max)
1µA (ICBO)
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 500mA, 2V
Putere - Max
900 mW
Frecvență - Tranziție
120MHz
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
-
Calificare
-
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pachet dispozitiv furnizor
3-MP
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-2SD1145F-AE
ONSONS2SD1145F-AE
Pachet standard
1,401
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
Not applicable
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SA1208S-AE
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2SA1462-T1B-A
HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
2SC4256
NPN SILICON TRANSISTOR
