Numărul de produs al producătorului:
2SC5706-P-E
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
2SC5706-P-E-DG
Descriere:
TRANS NPN 100V 5A TP
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 5 A 400MHz 800 mW Through Hole TP
Inventar:
12835898
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2SC5706-P-E Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistori bipolari unici
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip tranzistor
NPN
Curent - Colector (Ic) (Max)
5 A
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
100 V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
240mV @ 100mA, 2A
Curent - Întrerupere colector (Max)
1µA (ICBO)
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Putere - Max
800 mW
Frecvență - Tranziție
400MHz
Temperatura
-
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pachet dispozitiv furnizor
TP
Numărul de bază al produsului
2SC5706
Informații suplimentare
Alte nume
ONSONS2SC5706-P-E
2156-2SC5706-P-E-ON
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SD1685F
TRANS NPN 20V 5A TO126ML
50A02SS-TL-E
TRANS PNP 50V 0.4A 3SSFP
BC237A
TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
