Numărul de produs al producătorului:
2SC3596E
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
2SC3596E-DG
Descriere:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 300 mA 700MHz 1.2 W Through Hole TO-126
Inventar:
17014 Piese Noi Originale În Stoc
12931590
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2SC3596E Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistori bipolari unici
Producător
onsemi
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN
Curent - Colector (Ic) (Max)
300 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
60 V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 10mA, 100mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
Putere - Max
1.2 W
Frecvență - Tranziție
700MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Clasă
-
Calificare
-
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
TO-225AA, TO-126-3
Pachet dispozitiv furnizor
TO-126
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
ONSONS2SC3596E
2156-2SC3596E
Pachet standard
437
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
Not applicable
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SC3458L
NPN SILICON TRANSISTOR
2SC3956E
NPN SILICON TRANSISTOR
2SA1338-5-TB-E
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
