Numărul de produs al producătorului:
2SC3361-6-TB-E-ON
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
2SC3361-6-TB-E-ON-DG
Descriere:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 100MHz 150 mW Surface Mount 3-CP
Inventar:
30000 Piese Noi Originale În Stoc
12941208
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
pSTt
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2SC3361-6-TB-E-ON Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistori bipolari unici
Producător
onsemi
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN
Curent - Colector (Ic) (Max)
150 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 1mA, 10mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 6V
Putere - Max
150 mW
Frecvență - Tranziție
100MHz
Temperatura
125°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pachet dispozitiv furnizor
3-CP
Informații suplimentare
Alte nume
ONSONS2SC3361-6-TB-E
2156-2SC3361-6-TB-E-ON
Pachet standard
1,567
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
Not applicable
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
HTSUS
0000.00.0000
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BC846AMTF
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
NJVTIP50G
BIP TO-220 NPN 1A 400V
2SD1347T-AE
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
