Numărul de produs al producătorului:
2SB1216S-E
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
2SB1216S-E-DG
Descriere:
TRANS PNP 100V 4A TP
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Inventar:
12835690
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2SB1216S-E Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistori bipolari unici
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip tranzistor
PNP
Curent - Colector (Ic) (Max)
4 A
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
100 V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Curent - Întrerupere colector (Max)
1µA (ICBO)
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 5V
Putere - Max
1 W
Frecvență - Tranziție
130MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pachet dispozitiv furnizor
TP
Numărul de bază al produsului
2SB1216
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-2SB1216S-E
ONSONS2SB1216S-E
1990-2SB1216S-E
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SA2186-AN
TRANS PNP 50V 2A 3NMP
2SC6096-TD-H
TRANS NPN 100V 2A PCP
2SA1768T-AN
TRANS PNP 160V 0.7A 3NMP
