Numărul de produs al producătorului:
2N7002LT7G
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
2N7002LT7G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
52469 Piese Noi Originale În Stoc
12836419
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2N7002LT7G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
115mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
225mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3 (TO-236)
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
2N7002
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2N7002LT7G-DG
488-2N7002LT7GTR
488-2N7002LT7GCT
488-2N7002LT7GDKR
Pachet standard
3,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SJ661-1E
MOSFET P-CH 60V 38A TO262-3
FQP5N60C
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
2SK4177-DL-1E
MOSFET N-CH 1500V 2A TO263-2
