Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
PSMN8R5-100ESFQ
Product Overview
Producător:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Cod de parte:
PSMN8R5-100ESFQ-DG
Descriere:
NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 97A (Ta) 183W (Ta) Through Hole I2PAK
Inventar:
1000 Piese Noi Originale În Stoc
12996758
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PSMN8R5-100ESFQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
NXP Semiconductors
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
97A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3181 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
183W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
PSMN8R5-100ESFQ-DG
Fișe tehnice
PSMN8R5-100ESFQ
Informații suplimentare
Alte nume
2156-PSMN8R5-100ESFQ-954
Pachet standard
437
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Vendor Undefined
Starea REACH
REACH Unaffected
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PMN70XPE,115
NEXPERIA PMN70XPE - SMALL SIGNAL
FDMC6696P
FDMC6696 - P-CHANNEL POWERTRENCH
2SK3486-TD-E
2SK3486 - N-CHANNEL SILICON MOSF
PMN40UPEA115
NEXPERIA PMN40UPEA - SMALL SIGNA