Numărul de produs al producătorului:
PHX23NQ11T,127
Product Overview
Producător:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PHX23NQ11T,127-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 110V 16A TO220F
Descriere detaliată:
N-Channel 110 V 16A (Tc) 41.6W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventar:
12811213
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PHX23NQ11T,127 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
NXP Semiconductors
Ambalare
-
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
110 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
830 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
41.6W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
PHX23
Informații suplimentare
Alte nume
PHX23NQ11T-DG
PHX23NQ11T
934058493127
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PSMN023-40YLCX
MOSFET N-CH 40V 24A LFPAK56
PHB143NQ04T,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
PMR290XN,115
MOSFET N-CH 20V 970MA SC75
