Numărul de produs al producătorului:
PHE13009/DG,127
Product Overview
Producător:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PHE13009/DG,127-DG
Descriere:
NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 80 W Through Hole TO-220AB
Inventar:
3680 Piese Noi Originale În Stoc
12947849
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PHE13009/DG,127 Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistori bipolari unici
Producător
NXP Semiconductors
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN
Curent - Colector (Ic) (Max)
12 A
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
400 V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
2V @ 1.6A, 8A
Curent - Întrerupere colector (Max)
100µA
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
8 @ 5A, 5V
Putere - Max
80 W
Frecvență - Tranziție
-
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
WENNXPPHE13009/DG,127
2156-PHE13009/DG,127
Pachet standard
912
Clasificare de Mediu și Export
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PMSS3904135
NOW NEXPERIA PMSS3904 - SMALL SI
NZT753
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 10
PHE13003C,126
NOW WEEN - PHE13003C - POWER BIP
