PDTA123JMB,315
Numărul de produs al producătorului:

PDTA123JMB,315

Product Overview

Producător:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

PDTA123JMB,315-DG

Descriere:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 180 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3

Inventar:

190000 Piese Noi Originale În Stoc
12947419
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

PDTA123JMB,315 Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
NXP Semiconductors
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
PNP - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
2.2 kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
1µA
Frecvență - Tranziție
180 MHz
Putere - Max
250 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-101, SOT-883
Pachet dispozitiv furnizor
DFN1006B-3
Numărul de bază al produsului
PDTA123

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
PDTA123JMB,315 Datasheet

Informații suplimentare

Alte nume
NEXNEXPDTA123JMB,315
2156-PDTA123JMB,315
Pachet standard
11,225

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
nxp-semiconductors

PBRP113ZT,215

TRANS PREBIAS PNP 40V SOT23

nxp-semiconductors

PDTA113EMB,315

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN

nxp-semiconductors

PDTC115EMB,315

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.02A 3DFN

nxp-semiconductors

PDTA114YMB,315

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN