Numărul de produs al producătorului:
PBSS5230QAZ
Product Overview
Producător:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Cod de parte:
PBSS5230QAZ-DG
Descriere:
NEXPERIA PBSS5230QA - 30 V, 2 A
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 2 A 170MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
Inventar:
554308 Piese Noi Originale În Stoc
12996639
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PBSS5230QAZ Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistori bipolari unici
Producător
NXP Semiconductors
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
PNP
Curent - Colector (Ic) (Max)
2 A
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
30 V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
210mV @ 50mA, 1A
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 2V
Putere - Max
325 mW
Frecvență - Tranziție
170MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
3-XDFN Exposed Pad
Pachet dispozitiv furnizor
DFN1010D-3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-PBSS5230QAZ-954
Pachet standard
4,691
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SD1830
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
PBSS5612PA,115
NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN
2SA2022
2SA2022 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
