PBSS5112PAP,115
Numărul de produs al producătorului:

PBSS5112PAP,115

Product Overview

Producător:

NXP Semiconductors

DiGi Electronics Cod de parte:

PBSS5112PAP,115-DG

Descriere:

NEXPERIA PBSS5112PAP - SMALL SIG
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP 120V 1A 100MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)

Inventar:

34680 Piese Noi Originale În Stoc
12967784
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

PBSS5112PAP,115 Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Transistoare Bipolare
Producător
NXP Semiconductors
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 PNP
Curent - Colector (Ic) (Max)
1A
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
120V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
480mV @ 100mA, 1A
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
190 @ 100mA, 2V
Putere - Max
510mW
Frecvență - Tranziție
100MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-UDFN Exposed Pad
Pachet dispozitiv furnizor
6-HUSON (2x2)

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
PBSS5112PAP,115 Datasheet

Informații suplimentare

Alte nume
2156-PBSS5112PAP,115-954
Pachet standard
1,888

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
harris-corporation

CA3096CM96

3 NPN, 2 PNP TRANSISTOR ARRAY

onsemi

EMT2DXV6T5G

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

harris-corporation

CA3083M

GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT NPN

intersil

CA3083R4339

GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT NPN