BUK9Y98-80E,115
Numărul de produs al producătorului:

BUK9Y98-80E,115

Product Overview

Producător:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

BUK9Y98-80E,115-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 80V LFPAK56 PWR-SO8
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Inventar:

12823017
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

BUK9Y98-80E,115 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
NXP Semiconductors
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LFPAK56, Power-SO8
Pachet / Carcasă
SC-100, SOT-669
Numărul de bază al produsului
BUK9Y98

Informații suplimentare

Alte nume
934067034115
Pachet standard
1,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IRF4104GPBF

MOSFET N CH 40V 75A TO220AB

littelfuse

IXTA152N085T7

MOSFET N-CH 85V 152A TO263-7

infineon-technologies

IRLR7843CPBF

MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

infineon-technologies

IPI040N06N3GXKSA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3