Numărul de produs al producătorului:
BUK9E04-30B,127
Product Overview
Producător:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
BUK9E04-30B,127-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 254W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
13066337
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BUK9E04-30B,127 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
NXP Semiconductors
Ambalare
-
Serie
TrenchMOS™
Ambalaj
Tube
Starea piesei
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±15V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6526 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
254W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
BUK9
Informații suplimentare
Alte nume
BUK9E04-30B
BUK9E04-30B,127-ND
954-BUK9E04-30B127
BUK9E04-30B-ND
568-6637-5
2156-BUK9E04-30B127
934058069127
NEXNXPBUK9E04-30B,127
568-6637
568-6637-ND
BUK9E0430B127
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BUK9506-55B,127
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
BUK753R1-40B,127
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
BUK7616-55A,118
MOSFET N-CH 55V 65.7A D2PAK