Numărul de produs al producătorului:
BUK95150-55A,127
Product Overview
Producător:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
BUK95150-55A,127-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 13A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 13A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12810050
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BUK95150-55A,127 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
NXP Semiconductors
Ambalare
-
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
137mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
339 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
53W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
BUK95
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
NEXNXPBUK95150-55A,127
BUK95150-55A-DG
2156-BUK95150-55A127
568-9775-5
BUK95150-55A,127-DG
954-BUK95150-55A127
BUK95150-55A
BUK9515055A127
934056260127
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF640,127
MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
BUK9213-30A,118
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
BUK9E6R1-100E,127
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
