Numărul de produs al producătorului:
BUK7E5R2-100E,127
Product Overview
Producător:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Cod de parte:
BUK7E5R2-100E,127-DG
Descriere:
NEXPERIA BUK7E5R2-100E - 120A, 1
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
473 Piese Noi Originale În Stoc
12968167
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BUK7E5R2-100E,127 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
NXP Semiconductors
Ambalare
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
11810 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
349W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-BUK7E5R2-100E,127-954
Pachet standard
249
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Vendor Undefined
Starea REACH
REACH Unaffected
HTSUS
0000.00.0000
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQA410CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
NTNS4CS69NTCG
NTNS4CS69NTCG - TRENCH 6 30V NFE
ISC080N10NM6ATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
