Numărul de produs al producătorului:
BUK7E3R1-40E,127
Product Overview
Producător:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Cod de parte:
BUK7E3R1-40E,127-DG
Descriere:
NEXPERIA BUK7E3R1-40E - 100A, 40
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
1263 Piese Noi Originale În Stoc
12996589
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BUK7E3R1-40E,127 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
NXP Semiconductors
Ambalare
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6200 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
234W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-BUK7E3R1-40E,127-954
Pachet standard
398
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Vendor Undefined
Starea REACH
REACH Unaffected
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDP8442-F085
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
SPS04N60C3E8177AKMA1
LOW POWER_LEGACY
MCAC60N08Y-TP
MOSFET N-CH DFN5060
