Numărul de produs al producătorului:
BUK7E2R3-40E,127
Product Overview
Producător:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Cod de parte:
BUK7E2R3-40E,127-DG
Descriere:
NEXPERIA BUK7E2R3-40E - 120A, 40
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 293W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
3778 Piese Noi Originale În Stoc
12973740
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BUK7E2R3-40E,127 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
NXP Semiconductors
Ambalare
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
109.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
293W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-BUK7E2R3-40E,127-954
Pachet standard
325
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Vendor Undefined
Starea REACH
REACH Unaffected
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJQ5463A-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJL9412_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
IAUA180N08S5N026AUMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
