BUK7611-55A,118
Numărul de produs al producătorului:

BUK7611-55A,118

Product Overview

Producător:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

BUK7611-55A,118-DG

Descriere:

NOW NEXPERIA BUK7611-55A - 75A,
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventar:

6400 Piese Noi Originale În Stoc
12978135
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

BUK7611-55A,118 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
NXP Semiconductors
Ambalare
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3093 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
166W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fișa de date și documente

Informații suplimentare

Alte nume
NEXNXPBUK7611-55A,118
2156-BUK7611-55A,118
Pachet standard
523

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IPW65R099CFD7AXKSA1

MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41

alpha-and-omega-semiconductor

AON6104FH

MOSFET N-CH 8DFN 5X6

infineon-technologies

IMBG120R090M1HXTMA1

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263

goford-semiconductor

GT6K2P10KH

MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252