Numărul de produs al producătorului:
BSN304,126
Product Overview
Producător:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
BSN304,126-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 300V 300MA TO92-3
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 300mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventar:
12822634
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSN304,126 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
NXP Semiconductors
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
300mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
120 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-92-3
Pachet / Carcasă
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Numărul de bază al produsului
BSN3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSN304 AMO
BSN304 AMO-DG
934023530126
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFH5025TR2PBF
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
IXTA08N100D2HV
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
IRF5805TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
