Numărul de produs al producătorului:
NTE2378
Product Overview
Producător:
NTE Electronics, Inc
DiGi Electronics Cod de parte:
NTE2378-DG
Descriere:
MOSFET N-CHANNEL 900V 5A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 5A (Ta) 120W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
104 Piese Noi Originale În Stoc
12925623
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NTE2378 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
NTE Electronics, Inc.
Ambalare
Bag
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
120W (Tc)
Temperatura
150°C
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2368-NTE2378
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTE2935
MOSFET N-CH 500V 6.2A TO3PML
FQB10N60CTM
MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK
NTE2396A
MOSFET N-CHANNEL 100V 33A TO220
