Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
PXN7R7-25QLJ
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PXN7R7-25QLJ-DG
Descriere:
PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Descriere detaliată:
N-Channel 25 V 11.8A (Ta), 32A (Tc) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount MLPAK33
Inventar:
5937 Piese Noi Originale În Stoc
12950070
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PXN7R7-25QLJ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11.8A (Ta), 32A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
770 pF @ 12.5 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
MLPAK33
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
PXN7R7-25QLJ-DG
Fișe tehnice
PXN7R7-25QLJ
Informații suplimentare
Alte nume
1727-PXN7R7-25QLJTR
5202-PXN7R7-25QLJTR
934661599118
1727-PXN7R7-25QLJDKR
1727-PXN7R7-25QLJCT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PXN6R7-30QLJ
PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
NXV55UNR
NXV55UN/SOT23/TO-236AB
TP65H070LSG-TR
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
IPP65R155CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW