PSMN7R8-120ESQ
Numărul de produs al producătorului:

PSMN7R8-120ESQ

Product Overview

Producător:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

PSMN7R8-120ESQ-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 120 V 70A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventar:

12829270
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

PSMN7R8-120ESQ Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
120 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9473 pF @ 60 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
349W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
PSMN7R8

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
1727-1509
934067449127
568-10989-5
2156-PSMN7R8-120ESQ-1727
568-10989-5-DG
PSMN7R8-120ESQ-DG
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IPI076N12N3GAKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
498
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPI076N12N3GAKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.44
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
nexperia

BUK7M42-60EX

MOSFET N-CH 60V 20A LFPAK33

nexperia

BUK9605-30A,118

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

nexperia

PSMN4R5-30YLC,115

MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK56

nexperia

PMPB29XPEAX

MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6