Numărul de produs al producătorului:
PSMN7R8-120ESQ
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PSMN7R8-120ESQ-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 120 V 70A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12829270
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PSMN7R8-120ESQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
120 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9473 pF @ 60 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
349W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
PSMN7R8
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
1727-1509
934067449127
568-10989-5
2156-PSMN7R8-120ESQ-1727
568-10989-5-DG
PSMN7R8-120ESQ-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPI076N12N3GAKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
498
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPI076N12N3GAKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.44
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BUK7M42-60EX
MOSFET N-CH 60V 20A LFPAK33
BUK9605-30A,118
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
PSMN4R5-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK56
