Numărul de produs al producătorului:
PSMN7R0-100ES,127
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PSMN7R0-100ES,127-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 269W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12830732
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PSMN7R0-100ES,127 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6686 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
269W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
934064292127
PSMN7R0-100ES,127-DG
568-7516-5-DG
PSMN7R0100ES127
568-7516-5
1727-5897
2166-PSMN7R0-100ES,127-1727
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPI045N10N3GXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
894
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPI045N10N3GXKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.32
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BUK7E2R6-60E,127
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
BSR302NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59
PSMN4R0-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
