Numărul de produs al producătorului:
PSMN3R9-100YSFX
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PSMN3R9-100YSFX-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 120A (Ta) 245W (Ta) Surface Mount LFPAK56; Power-SO8
Inventar:
15186 Piese Noi Originale În Stoc
13140453
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PSMN3R9-100YSFX Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7360 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
245W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LFPAK56; Power-SO8
Pachet / Carcasă
SOT-1023, 4-LFPAK
Numărul de bază al produsului
PSMN3R9
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
934660621115
1727-PSMN3R9-100YSFXTR
1727-PSMN3R9-100YSFXDKR
1727-PSMN3R9-100YSFXCT
5202-PSMN3R9-100YSFXTR
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PMPB16EPX
MOSFET P-CH 30V 7.5A DFN2020MD-6
PSMNR51-25YLHX
MOSFET N-CH 25V 380A LFPAK56
PSMN1R8-30MLHX
MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33