Numărul de produs al producătorului:
PSMN2R0-60ES,127
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PSMN2R0-60ES,127-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
2 Piese Noi Originale În Stoc
12831914
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PSMN2R0-60ES,127 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
137 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9997 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
338W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
PSMN2R0
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
568-6709-5-DG
568-6709
1727-5281
2166-PSMN2R0-60ES,127-1727
568-6709-5
934065162127
568-6709-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFSL3306PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFSL3306PBF-DG
PREȚ UNIC
1.04
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSC105N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
BUK9M24-40EX
MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK33
PSMN7R5-30MLDX
MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK33
