Numărul de produs al producătorului:
PSMN1R7-40YLDX
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PSMN1R7-40YLDX-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 200A (Ta) 194W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventar:
1115 Piese Noi Originale În Stoc
13270271
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PSMN1R7-40YLDX Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.05V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7966 pF @ 20 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Body)
Disiparea puterii (max)
194W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LFPAK56, Power-SO8
Pachet / Carcasă
SC-100, SOT-669
Numărul de bază al produsului
PSMN1R7
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
1727-PSMN1R7-40YLDXDKR
934660737115
1727-PSMN1R7-40YLDXTR
1727-PSMN1R7-40YLDXCT
5202-PSMN1R7-40YLDXTR
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PMPB20XPEZ
MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
PMV74EPER
MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
PSMN2R8-40YSDX
MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
