Numărul de produs al producătorului:
PSMN1R2-30YLDX
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PSMN1R2-30YLDX-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 194W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventar:
10060 Piese Noi Originale În Stoc
12831809
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PSMN1R2-30YLDX Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.24mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4616 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
194W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LFPAK56, Power-SO8
Pachet / Carcasă
SC-100, SOT-669
Numărul de bază al produsului
PSMN1R2
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
PSMN1R2-30YLDX-DG
934068235115
PSMN0R9-30YLD,115
568-11556-1
568-11556-2
5202-PSMN1R2-30YLDXTR
1727-1860-1
1727-1860-2
568-11556-2-DG
568-11556-1-DG
1727-1860-6
568-11556-6-DG
568-11556-6
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BUK7M3R3-40HX
MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
BUK7Y07-30B,115
MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK56
PSMN5R6-60YLX
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
